钟志有,田雨,王浩.透明导电ZTGO薄膜的制备及其光电性能研究[J].中南民族大学学报自然科学版,2021,40(2):171-176
透明导电ZTGO薄膜的制备及其光电性能研究
Fabrication and opto-electronic performance of transparent conducting ZTGO thin films
  
DOI:10.12130/znmdzk.20210210
中文关键词: 磁控溅射  透明导电氧化物  薄膜
英文关键词: magnetron sputtering, transparent conductive oxide, thin film
基金项目:湖北省自然科学基金资助项目(2011CDB418)
作者单位
钟志有 中南民族大学 电子信息工程学院武汉 430074中南民族大学 智能无线通信湖北省重点实验室武汉430074 
田雨 中南民族大学 电子信息工程学院武汉 430074 
王浩 中南民族大学 电子信息工程学院武汉 430074 
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中文摘要:
      采用射频磁控溅射方法制备了ZTGO透明导电氧化物薄膜,通过紫外-可见分光光度计和四探针仪的测试以及光学表征技术,研究了生长温度(Tem)对样品光学、电学和光电综合性能的影响。结果表明,薄膜样品的性能参数与Tem值密切相关。当Tem为640?K时,样品的电导率为7.86×102?S?cm-1、光学带隙为3.48?eV、Urbach能最小为0.167?eV、可见光区平均透过率最高为84.61%、优良指数最大为0.423?S,具有最好的光电综合性能。
英文摘要:
      The ZTGO transparent conductive oxide thin films were prepared by magnetron sputtering technique. The influences of growth temperature (Tem) on the optical, electrical and opto-electronic performance of the thin films were investigated by ultraviolet-visible spectrometer, four-point probe and optical characterization methods. The results show that the Tem significantly affects the electro-optical characteristics of thin films. When the Tem is at 640?K, the prepared thin film has the best opto-electronic performance, with the electrical conductivity of 7.86×102?S?cm-1, the optical band-gap of 3.48?eV, the minimum Urbach energy of 0.167?eV, the highest average visible transmittance of 84.61% and the maximum figure of merit of 0.423?S.
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